型号:  BFT46.215

功能描述:   Trans JFET N-CH 25V 10mA 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

标准包装：  3,000

当前 - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)：  200µA @ 10V

漏极至源极电压（VDSS）：  25V

当前 Drain (Id) - Max：  10mA

FET 型 ：  N-Channel

- 击穿电压 (V(BR)GSS)：  -

电压 - Cutoff (VGS off) @ Id：  1.2V @ 0.5nA

输入电容（Ciss）@ Vds的：  5pF @ 10V

电阻 - RDS（ON）：  -

安装类型 ：  Surface Mount

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

功率 - 最大：  250mW

动态目录：  N-Channel JFETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-jfets/17187?mpart=BFT46,215&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  3TO-236AB

配置：  Single

最大漏源电压：  25 V

最大连续漏极电流：  10 mA

最大门源电压：  -25 V

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

供应商封装形式：  TO-236AB

最大门源电压：  -25

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  SOT-23

包装高度：  1(Max)

最大功率耗散：  250

最大漏极栅极电压：  25

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

包装宽度：  1.4(Max)

最大连续漏极电流：  10

PCB：  3

包装长度：  3(Max)

最低工作温度：  -65

最大漏源电压：  25

引脚数：  3

铅形状：  Gull-wing

安装类型：  Surface Mount

电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ）：  200µA @ 10V

供应商设备封装：  SOT-23-3

电压 - 切断（VGS关）@ Id：  1.2V @ 0.5nA

漏极电流（Id ） - 最大：  10mA

FET型：  N-Channel

功率 - 最大：  250mW

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

漏极至源极电压（Vdss）：  25V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  5pF @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-8482-1

工厂包装数量：  3000

漏源电压VDS：  25 V

产品种类：  Transistors RF JFET

晶体管极性：  N-Channel

最大漏极栅极电压：  25 V

源极击穿电压：  - 25 V

连续漏极电流：  10 mA

栅源截止电压：  1.2 V

产品：  RF JFET

功率耗散：  250 mW

类型：  Silicon

安装风格：  SMD/SMT

漏源电流在Vgs = 0：  0.2 mA to 1.5 mA

零件号别名：  BFT46 T/R

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant

栅源电压（最大值）：  25 V

包装类型：  TO-236AB

工作温度（最大）：  150C

工作温度（最小值）：  -65C

工作温度分类：  Military

漏栅极电压（最大值）：  25 V