型号:  BFU530R

功能描述:  射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor

制造商:  NXP Semiconductors

制造商:  NXP

产品种类:  射频(RF)双极晶体管

RoHS:  是

晶体管类型:  Bipolar Wideband

技术:  Si

晶体管极性:  NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:  60

集电极—发射极最大电压 VCEO:  16 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  2 V

集电极连续电流:  10 mA

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Single

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT143B-4

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

集电极—基极电压 VCBO:  24 V

直流电流增益 hFE 最大值:  200

工作频率:  900 MHz

工作温度范围:  - 40 C to + 150 C

类型:  Wideband RF Transistor

商标:  NXP Semiconductors

增益带宽产品fT:  11 GHz

最大直流电集电极电流:  65 mA

Pd-功率耗散:  450 mW

产品类型:  RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

零件号别名:  934067703215

单位重量:  9 mg