BFU730LXZ规格参数_BFU730LXZ全国代理商/分销商

型号: BFU730LXZ
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 SiGe:C MMIC Transistor
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: Bipolar Wideband
技术: SiGe
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 205
集电极—发射极最大电压 VCEO: 10 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 1.3 V
集电极连续电流: 5 mA
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-883C-3
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 53 GHz
输出功率: 11.7 dBm
商标: NXP Semiconductors
最大直流电集电极电流: 30 mA
Pd-功率耗散: 160 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 10000
子类别: Transistors
零件号别名: 934066878225
单位重量: 0.634 mg