型号: BG 3123R H6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BG 3123
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： RF FET
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： 2 N-通道（双）
频率： 800MHz
增益： 25dB
电压 - 测试： 5V
额定电流： 25mA，20mA
噪声系数： 1.8dB
电流 - 测试： 14mA
功率 - 输出： -
电压 - 额定： 8V
封装/外壳： 6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： PG-SOT363-6
其它名称： BG3123RH6327XTSA1SP000753492
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