BG3130H6327XTSA1规格参数_BG3130H6327XTSA1全国代理商/分销商

型号: BG3130H6327XTSA1
功能描述: Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BG3130H6327XTSA1, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
制造商: Infineon Technologies
晶体管类型： 2 N-通道（双）
频率： 800MHz
增益： 24dB
电压 - 测试： 5V
额定电流： 25mA
噪声系数： 1.3dB
电流 - 测试： 14mA
电压： 8V
封装/外壳： SOT363
供应商器件封装： PG-SOT363-6
通道类型： N
最大连续漏极电流： 25 mA
最大漏源电压： 8 V
最小栅阈值电压： 0.6V
最大栅源电压： +6 V
封装类型： SOT-363 (SC-88)
安装类型：表面贴装
晶体管配置：单
引脚数目： 6
通道模式：增强
类别： MOSFET Tetrode
最大功率耗散： 200 mW
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 2mm
高度： 0.8mm
宽度： 1.25mm
晶体管材料： Si
典型输入电容值@Vds： 1.9 pF @ 5 V
典型功率增益： 31 dB
尺寸： 2 x 1.25 x 0.8mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs