型号: BG5130R
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 25 mA
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 6 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
商标: Infineon Technologies
通道模式: Depletion
配置: Dual Semi-Biased
正向跨导 - 最小值: 0.041 S
最小工作温度: - 55 C
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