型号:  BGA 612 H6327

功能描述:  射频放大器 RF SILICON MMIC

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  射频放大器

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-343-4

类型:  Silicon Germanium MMIC

工作频率:  3 GHz

P1dB - 压缩点:  7 dBm

增益:  16.3 dB

工作电源电压:  5 V

NF—噪声系数:  2.1 dB

测试频率:  2 GHz

OIP3 - 三阶截点:  17 dBm

工作电源电流:  20 mA

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  BGA612

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Infineon Technologies

Pd-功率耗散:  225 mW

产品类型:  RF Amplifier

工厂包装数量:  3000

子类别:  Wireless & RF Integrated Circuits

电源电压-最大:  5.5 V

电源电压-最小:  4.5 V

零件号别名:  BGA612H6327XT BGA612H6327XTSA1 SP000753510

单位重量:  6.400 mg