型号: BGA5M1BN6E6327XTSA1
功能描述: 射频放大器 RF SILICON MMIC
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频放大器
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSNP-6
类型: LNA
技术: SiGe
工作频率: 1805 MHz to 2200 MHz
P1dB - 压缩点: - 16 dBm
增益: 19.4 dB
工作电源电压: 1.5 V to 3.6 V
NF—噪声系数: 0.65 dB
测试频率: 2000 MHz
OIP3 - 三阶截点: - 7 dBm
工作电源电流: 10.3 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
通道数量: 1 Channel
输入返回损失: 12 dB
隔离分贝: 37 dB
Pd-功率耗散: 60 mW
产品类型: RF Amplifier
工厂包装数量: 12000
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名: 5M1BN6 BGA E6327 SP001778002
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