型号: BGA7L1N6E6327XTSA1
功能描述: 射频放大器 RF SILICON MMIC
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频放大器
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSNP-6
类型: LNA for LTE
技术: SiGe
工作频率: 728 MHz to 960 MHz
P1dB - 压缩点: - 2 dBm
增益: 13.3 dB
工作电源电压: 3.3 V
NF—噪声系数: 0.9 dB
工作电源电流: 4.5 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
输入返回损失: 25 dB
隔离分贝: 25 dB
Pd-功率耗散: 60 mW
产品类型: RF Amplifier
工厂包装数量: 15000
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名: 7L1N6 BGA E6327 SP001109134
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