型号: BL2305G
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：500mV @ 250uA(标准) 漏源导通电阻：53mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.37W 类型：P沟道
制造商: 银河微电子
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.2A
栅源极阈值电压: 500mV @ 250uA(标准)
漏源导通电阻: 53mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.37W
类型: P沟道
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