型号: BLA6G1011LS-200RG
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PWR LDMOS TRANSISTO
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 49 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 930 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 13 V
增益: 20 dB
输出功率: 200 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-502C-3
封装: Tube
商标: NXP Semiconductors
工作频率: 1.03 GHz to 1.09 GHz
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
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