型号: BLF175
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BULK TNS-RFPR
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
最大工作温度: + 200 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-123A
封装: Tube
商标: NXP Semiconductors
最小工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 68 W
工厂包装数量: 20
零件号别名: BLF175,112
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