型号: BLF184XRS
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 100 mA
Vds-漏源极击穿电压: 135 V
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 11 V
增益: 23.5 dB
输出功率: 650 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-1214A
商标: NXP Semiconductors
工作频率: 10 MHz to 600 MHz
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
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