型号: BLF242
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BULK TNS-RFPR
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 1 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 5 Ohms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
增益: 16 dB
输出功率: 5 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-123A
封装: Tube
商标: NXP Semiconductors
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 175 MHz
Pd-功率耗散: 16 W
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
零件号别名: BLF242,112
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：欧维明
电话：13810607781
Q Q:
联系人：林锦涛
电话：13480668862
Q Q:
联系人：黃小姐
电话：13760273155
Q Q:
