型号:  BLF278.112

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 125V 18A 5-Pin CDFM Bulk

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  20

晶体管类型：  2 N-Channel (Dual)

频率 ：  108MHz

增益 ：  22dB

电压 - 测试：  50V

额定电流 ：  18A

噪声系数 ：  -

电流 - 测试：  100mA

Power - 输出功率 ：  300W

电压 - 额定：  125V

包/盒 ：  SOT-262A1

供应商器件封装：  CDFM4

包装材料 ：  Tray

包装：  5CDFM

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  125 V

最大连续漏极电流：  18 A

RDS -于：  300@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

工作温度：  -65 to 200 °C

安装：  Screw

标准包装：  Rail / Tube

包装宽度：  10.29(Max)

PCB：  5

最大功率耗散：  500000

最大漏源电压：  125

最大频率：  225

欧盟RoHS指令：  Compliant

Typical Drain Efficiency ：  80

最大漏源电阻：  300@10V

每个芯片的元件数：  2

最低工作温度：  -65

典型功率增益：  22

供应商封装形式：  CDFM

标准包装名称：  CDFM

最高工作温度：  200

渠道类型：  N

典型输入电容@ VDS：  480@50V

包装长度：  34.17(Max)

引脚数：  5

包装高度：  5.77(Max)

最大连续漏极电流：  18

封装：  Bulk

晶体管类型：  2 N-Channel (Dual)

电压 - 额定：  125V

供应商设备封装：  CDFM4

电压 - 测试：  50V

频率：  108MHz

增益：  22dB

封装/外壳：  SOT-262A1

电流 - 测试：  100mA

额定电流：  18A

功率 - 输出：  300W

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

类别：  RF MOSFET

配置：  Common Source, Dual

外形尺寸：  34.17 x 10.29 x 5.77mm

身高：  5.77mm

长度：  34.17mm

最大漏源电阻：  0.3 Ω

最高工作温度：  +200 °C

最大功率耗散：  500 W

最低工作温度：  -65 °C

安装类型：  Screw

包装类型：  CDFM

典型输入电容@ VDS：  480 pF V @ 50

典型功率增益：  22 dB

宽度：  10.29mm

漏极电流（最大值）：  18 A

频率（最大）：  225 MHz

栅源电压（最大值）：  �20 V

输出功率（最大）：  300 W

功率耗散：  500 W

漏源导通电阻：  0.3 ohm

极性：  N

类型：  RF MOSFET

元件数：  2

工作温度分类：  Military

漏极效率：  80 %

漏源导通电压：  125 V

功率增益：  22 dB

弧度硬化：  No

连续漏极电流：  18 A

工作温度范围：  -65C to 200C

筛选等级：  Military

驻波比（Max ）：  7

应用：  VHF

正向跨导（典型值）：  6.2 S

输入电容（典型值） @ VDS：  480@50V pF

输出电容（典型值） @ VDS：  190@50V pF

漏极效率（典型值）：  80 %

反向电容（典型值）：  14@50V pF

漏源电阻（最大值）：  300@10V mohm

漏源电压（最大值）：  125 V