型号: BLF378
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 18 A
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-262A
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 225 MHz
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散: 500 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 7 V
单位重量: 30 mg
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13691930083
Q Q:
联系人：牟德林
电话：15318757735
Q Q:
联系人：陈玉
电话：13824367045
Q Q:
