型号: BLF4G20LS-130
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS TNS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 15 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V, 15 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LDMOST-3
最小工作温度: - 65 C
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
零件号别名: BLF4G20LS-130,112
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：林伟豪
电话：13798223800
Q Q:
联系人：胡
电话：13725538488
Q Q:
联系人：孙先生
Q Q:
