型号: BLF573S
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W, HF-500MHz
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 42 A
Vds-漏源极击穿电压: 110 V
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 11 V
增益: 27.2 dB
输出功率: 300 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-502B
封装: Bulk
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 225 MHz
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
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