型号:  BLF578.112

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 110V 88A 5-Pin LDMOST Blister

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  20

晶体管类型：  LDMOS

频率 ：  108MHz

增益 ：  26dB

电压 - 测试：  50V

额定电流 ：  88A

噪声系数 ：  -

电流 - 测试：  40mA

Power - 输出功率 ：  1000W

电压 - 额定：  110V

包/盒 ：  SOT539A

供应商器件封装：  LDMOST

包装材料 ：  Tray

包装：  5LDMOST

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  110 V

最大连续漏极电流：  88 A

RDS -于：  70(Typ)@6V mOhm

最大门源电压：  11 V

工作温度：  -65 to 225 °C

安装：  Screw

标准包装：  Rail / Tube

包装宽度：  10.29(Max)

PCB：  5

最大漏源电压：  110

最大频率：  225

欧盟RoHS指令：  Compliant

Typical Drain Efficiency ：  71

最大漏源电阻：  70(Typ)@6V

每个芯片的元件数：  2

最低工作温度：  -65

典型功率增益：  24

供应商封装形式：  SOT-539A

标准包装名称：  SOT-539A

最高工作温度：  225

输出功率：  1200

渠道类型：  N

典型输入电容@ VDS：  403@50V

包装长度：  41.28(Max)

引脚数：  5

包装高度：  4.7(Max)

最大连续漏极电流：  88

封装：  Blister

铅形状：  Flat

晶体管类型：  LDMOS

电压 - 额定：  110V

供应商设备封装：  SOT539A

电压 - 测试：  50V

频率：  108MHz

增益：  26dB

封装/外壳：  SOT539A

电流 - 测试：  40mA

额定电流：  88A

功率 - 输出：  1000W

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  20

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  11 V

连续漏极电流：  88 A

安装风格：  SMD/SMT

输出功率：  1.2 kW

配置：  Dual

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  110 V

RoHS：  RoHS Compliant

漏极电流（最大值）：  88 A

频率（最大）：  225 MHz

栅源电压（最大值）：  11 V

包装类型：  LDMOST

极性：  N

类型：  RF MOSFET

元件数：  2

工作温度分类：  Military

漏极效率：  71 %

漏源导通电压：  110 V

功率增益：  24 dB

弧度硬化：  No

工作温度范围：  -65C to 225C

操作模式：  CW/Pulsed RF

筛选等级：  Military

驻波比（Max ）：  13

应用：  HF

输入电容（典型值） @ VDS：  403@50V pF

输出电容（典型值） @ VDS：  138@50V pF

功率增益（典型值） @ VDS：  26@50V/24@50V dB

漏极效率（典型值）：  71 %

反向电容（典型值）：  3@50V pF

输出功率（最大）：  1200W

漏源电阻（最大值）：  70(Typ)@6V mohm