型号: BLF6G10-45
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS TNS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 13 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V, 13 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: CDFM
封装: Tube
最小工作温度: - 65 C
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
零件号别名: BLF6G10-45,112
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈
Q Q:
联系人：肖
电话：13670052109
Q Q:
联系人：林东霖
电话：13049496788
Q Q:
