型号: BLF6G10LS-200R
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS TNS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 49 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V to + 13 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT502B
封装: Tube
最小工作温度: - 65 C
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
零件号别名: BLF6G10LS-200R,112
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