型号: BLF6G20LS-110
功能描述:
制造商: NXP
产品种类: 射频MOSFET电源晶体管
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 65 V
漏极连续电流: 29 A
闸/源击穿电压: 13 V
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: SOT502B
封装: Tube
最小工作温度: - 65 C
安装风格: SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.16 Ohms
工厂包装数量: 20
零件号别名: BLF6G20LS-110,112
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：詹
Q Q:
联系人：张林
电话：18024788884
Q Q:
联系人：张靖杰
电话：15875801632
Q Q:
