型号: BLF6G20LS-110
功能描述:
制造商: NXP
产品种类: 射频MOSFET电源晶体管
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 65 V
漏极连续电流: 29 A
闸/源击穿电压: 13 V
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: SOT502B
封装: Tube
最小工作温度: - 65 C
安装风格: SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.16 Ohms
工厂包装数量: 20
零件号别名: BLF6G20LS-110,112
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