型号: BLF7G22L-130
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 44.8dBm 2110-2170MHz
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 28 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 13 V
增益: 18.5 dB
输出功率: 33 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-502A
封装: Bulk
工作频率: 2 GHz to 2.2 GHz
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：张生
电话：15817926388
Q Q:
联系人：朱
电话：15219483667
Q Q:
联系人：陈
电话：0537-2331282
Q Q:
