型号: BLF7G22L-130
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 44.8dBm 2110-2170MHz
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 28 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 13 V
增益: 18.5 dB
输出功率: 33 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-502A
封装: Bulk
工作频率: 2 GHz to 2.2 GHz
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
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