型号:  BLF881.112

功能描述:   PHABLF881,112 UHF POWER LDMOS TRANSISTOR

制造商:  nxp semiconductors

标准包装：  20

晶体管类型：  LDMOS

频率 ：  860MHz

增益 ：  21dB

电压 - Test：  50V

当前 Rating：  -

噪声系数 ：  -

当前 - Test：  -

Power - 输出功率 ：  -

电压 - 额定：  104V

包/盒 ：  SOT467C

供应商器件封装：  LDMOST

包装材料 ：  Tray

动态目录：  RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17295?mpart=BLF881,112&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

安装：  Screw

包装宽度：  5.97(Max)

PCB：  3

最大漏源电压：  104

最大频率：  860

欧盟RoHS指令：  Compliant

Typical Drain Efficiency ：  49

最大漏源电阻：  210(Typ)@6.15V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -65

典型功率增益：  21

供应商封装形式：  LDMOST

标准包装名称：  LDMOST

最高工作温度：  200

输出功率：  140(Typ)

渠道类型：  N

典型输入电容@ VDS：  100@50V

包装长度：  20.45(Max)

引脚数：  3

通道模式：  Enhancement

包装高度：  4.67(Max)

封装：  Blister

晶体管类型：  LDMOS

电压 - 额定：  104V

标准包装：  20

供应商设备封装：  LDMOST

电压 - 测试：  50V

频率：  860MHz

增益：  21dB

封装/外壳：  SOT467C

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  20

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  13 V

连续漏极电流：  21 A

安装风格：  SMD/SMT

输出功率：  33 W

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  104 V

RoHS：  RoHS Compliant