型号: BLL1214-250
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BULK TNS-MICP
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 45 A
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 22 V
增益: 12 dB
输出功率: 250 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-502A
封装: Tube
商标: NXP Semiconductors
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 1.2 GHz to 1.4 GHz
Pd-功率耗散: 400 W
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
零件号别名: BLL1214-250,112
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：杨
电话：13692115255
Q Q:
联系人：李小姐，朱先生
电话：15889589108
Q Q:
联系人：廖泽坤
Q Q:
