型号: BLL6H1214-500
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500W, 1.2-1.4GHz L-Band, Radar Appl.
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 72 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 13 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT502B
封装: Bulk
最小工作温度: - 65 C
类型: RF Power MOSFET
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