型号: BLM2012E
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道
制造商: BL(上海贝岭)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7A
栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA
漏源导通电阻: 21mΩ @ 6.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.5W
类型: 双N沟道
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