型号: BLM4435
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道
制造商: BL(上海贝岭)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 9.1A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 20mΩ @ 9.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.1W
类型: P沟道
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：成兴苗
电话：15012882981
Q Q:
联系人：李原装
电话：13246723227
Q Q:
联系人：李经理
电话：13126527014
Q Q:
