型号: BLS6G3135-20
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS TNS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 2.1 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 580 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 13 V
增益: 15.5 dB
输出功率: 20 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-608A
封装: Tray
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 3.1 GHz to 3.5 GHz
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
零件号别名: BLS6G3135-20,112
联系人：Alien
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：汪小姐
Q Q:
联系人：蒋敏姝
电话：13715227394
Q Q:
联系人：成小姐
Q Q:
