型号: BLT80,115
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
晶体管类型： NPN
电压-集射极击穿（最大值）： 10V
频率-跃迁： 900MHz
功率-最大值： 2W
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 25 @ 150mA，5V
电流-集电极（Ic）（最大值）： 250mA
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-223
电压 - 集射极击穿（最大值）： 10V
频率 - 跃迁： 900MHz
功率 - 最大值： 2W
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 25 @ 150mA，5V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 250mA
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装： SOT-223
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：周然
电话：13724311148
Q Q:
联系人：李先生
电话：13713713426
Q Q:
联系人：肖先生，刘先生
电话：15817200827
Q Q:
