型号: BLV10
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: Bipolar Power
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 10
集电极—发射极最大电压 VCEO: 18 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4 V
集电极连续电流: 1.5 A
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: SOT-123
封装: Tray
工作频率: 175 MHz
类型: RF Bipolar Power
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
增益带宽产品fT: 950 MHz
最大直流电集电极电流: 4 A
Pd-功率耗散: 20 W
产品类型: RF Bipolar Transistors
子类别: Transistors
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