型号: BLV20
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: Bipolar Power
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 10
集电极—发射极最大电压 VCEO: 35 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4 V
集电极连续电流: 1 A
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: SOT-123
封装: Tray
工作频率: 175 MHz
类型: RF Bipolar Power
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流: 2.5 A
Pd-功率耗散: 20 W
产品类型: RF Bipolar Transistors
子类别: Transistors
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：丁
电话：13510562077
Q Q:
联系人：吴小姐
电话：18823775498
Q Q:
联系人：钱先生，吴小姐，张先生，朱先生
电话：17788723678
Q Q:
