型号: BLV34
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: Bipolar Power
技术: Si
直流集电极/Base Gain hfe Min: 25
集电极—发射极最大电压 VCEO: 75 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4 V
集电极连续电流: 15 A
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
安装风格: Through Hole
封装: Tray
工作频率: 225 MHz
类型: RF Bipolar Power
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散: 150 W
产品类型: RF Bipolar Transistors
子类别: Transistors
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：何芊芊
电话：010-57109538
Q Q:
联系人：陈诺
电话：15807001902
Q Q:
联系人：李练武
电话：18218418913
Q Q:
