型号: BLW50F
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: Bipolar Power
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 19
集电极—发射极最大电压 VCEO: 55 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4 V
集电极连续电流: 3.25 A
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: SOT-123
封装: Tray
工作频率: 30 MHz
类型: RF Bipolar Power
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流: 7.5 A
Pd-功率耗散: 87 W
产品类型: RF Bipolar Transistors
子类别: Transistors
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：吴新
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：欧阳
电话：13028842817
Q Q:
联系人：张先生
电话：19967512226
Q Q:
联系人：姬
电话：15121020286
Q Q:
