型号: BM3402
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.1A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道
制造商: BORN伯恩半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5.1A
栅源极阈值电压: 1.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 36mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.5W
类型: N沟道
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：谢海龙
电话：82807980
Q Q:
联系人：朱先生，曾小姐
电话：15875581958
Q Q:
联系人：冯贝贝
电话：021-31134455
Q Q:
