型号:  BMS3004-1E

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

RoHS：  符合 RoHS

最高工作温度：  + 150 C

40 W：  Pd - 功率消耗

安装风格：  Through Hole

封装/外壳：  TO-220FP-3

系列：  BMS3004

品牌：  ON Semiconductor

通道模式：  Enhancement

下降时间：  650 ns

最低工作温度：  - 55 C

上升时间：  245 ns

晶体管极性：  P-Channel

标准包装数量：  50

标准断开延迟时间：  1400 ns

Vds - 漏-源击穿电压：  - 75 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  20 V

Id - C连续漏极电流：  68 A

Rds On - 漏-源电阻：  8.5 m0hms

配置：  Single

Vgs th - 门源门限电压：  - 2.6 V

300 nC：  Qg - 闸极充电

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  68A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4V，10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  300nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  13400pF @ 20V

功率耗散（最大值）：  2W（Ta），40W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  8.5 毫欧 @ 34A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  TO-220F-3SG

封装/外壳：  TO-220-3 整包

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs