型号: BQ4011YMA-70N
功能描述:
制造商: Texas Instruments
存储器类型： 非易失
存储器格式： NVSRAM
技术： NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量： 256Kb （32K x 8）
写周期时间 - 字，页： 70ns
访问时间： 70ns
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 通孔
封装/外壳： 28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
供应商器件封装： 28-DIP 模块（18.42x37.72）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
TEX SEEYAN INTERNATIONAL LIMITED
联系人：LEO
电话：13603075810
Q Q:
联系人：彭
电话：19397987461
Q Q:
联系人：李明璐
电话：18312586557
Q Q:
