型号: BS107PSTZ
功能描述: MOSFET N-Chnl 200V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 120 mA
Rds On-漏源导通电阻: 15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Bulk
产品: MOSFET Small Signal
系列: BS107
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: FET
商标: Diodes Incorporated
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
单位重量: 250 mg
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