型号: BS108G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 250mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2V,2.8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 1mA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 150pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 25V
功率耗散(最大值): 350mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 8 欧姆 @ 100mA,2.8V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-92-3
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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