型号: BS170P
功能描述: N-Channel 60 V 5 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET- TO-92
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 270mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 1mA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 60pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 5 欧姆 @ 200mA，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装形式Package： E-Line
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 0.27A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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