型号: BS870_
功能描述: MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 250 mA
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 5000 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Single
最小工作温度: - 55 C
系列: BS870
典型关闭延迟时间: 5 ns
典型接通延迟时间: 2 ns
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:张小姐
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:颜小姐
电话:13380394549
联系人:刘洪
Q Q:
联系人:陈生
电话:13510133095
联系人:先生
Q Q: