型号: BSB012NE2LX
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BSB012NE2LX
标准包装： 5,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 37A（Ta），170A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 1.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 4900pF @ 12V
功率 - 最大值： 2.8W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-WDSON
供应商器件封装： MG-WDSON-2，CanPAK M?
其它名称： BSB012NE2LX-NDBSB012NE2LXXUMA1SP000756344
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