型号: BSB104N08NP3 G
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳： MG-WDSON-2
Packing Type： TAPE & REEL
Moisture Level： 3
RDS (on) max： 10.4mΩ
IDpuls max： 200.0A
VDS max： 80.0V
ID max： 50.0 A
RthJC max： 3.0 K/W
QG (typ @10V)： 23.0 nC
Package： DirectFET L8
Operating Temperature min max： -40.0 °C 150.0 °C
Budgetary Price €/1k： 0.47
Operating Temperature min： -40.0°C
Ptot max： 42.0W
Polarity： N
RthJA max： 45.0K/W
Coss： 430.0pF
Ciss： 1600.0pF
VGS(th) min max： 2.0V 3.5V
VGS(th) (typ) min max： 2.7 V 2.0 V 3.5 V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：程先生
电话：18127076503
Q Q:
联系人：孙成宇
电话：18643806475
Q Q:
联系人：刘清影
电话：18924630310
Q Q:
