型号: BSC016N06NST
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.3V @ 95uA 漏源导通电阻：1.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：167W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 100A(Tc)
栅源极阈值电压: 3.3V @ 95uA
漏源导通电阻: 1.6mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 167W(Tc)
类型: N沟道
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：鄢凤
电话：15817429109
Q Q:
联系人：李师哲
电话：13048971103
Q Q:
联系人：李经理
电话：010-62982657
Q Q:
