型号: BSC016N06NST
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.3V @ 95uA 漏源导通电阻:1.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):167W(Tc) 类型:N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 100A(Tc)
栅源极阈值电压: 3.3V @ 95uA
漏源导通电阻: 1.6mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 167W(Tc)
类型: N沟道
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