型号: BSC020N025S G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 5,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 30A（Ta），100A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 66nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 8290pF @ 15V
功率 - 最大值： 104W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerTDFN
供应商器件封装： PG-TDSON-8（5.15x6.15）
其它名称： BSC020N025SGINTRBSC020N025SGXTSP000095463
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：许
Q Q:
联系人：叶存
电话：13738123490
Q Q:
联系人：杜小姐
电话：13715109526
Q Q:
