型号: BSC020N025S G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装: 5,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: OptiMOS??
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 30A(Ta),100A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 2 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 66nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 8290pF @ 15V
功率 - 最大值: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8(5.15x6.15)
其它名称: BSC020N025SGINTRBSC020N025SGXTSP000095463
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