型号: BSC024N025SG
功能描述: MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 100 A
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Rds On-漏源导通电阻: 3.7 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 7 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 5000
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 8.9 ns
零件号别名: BSC024N025SGXT
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：庄小姐
电话：13288043036
Q Q:
联系人：jacky
电话：15012994172
Q Q:
联系人：刘晓婷
电话：13077811690
Q Q:
