型号: BSC030N04NSGATMA1
功能描述: N-Channel 40 V 100 A 3 mO 46 nC SMT OptiMOS Power Mosfet - TDSON-8
制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 23A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 49µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 61nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 4900pF @ 20V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),83W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 3 毫欧 @ 50A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PG-TDSON-8
封装形式Package: TDSON
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 40V
连续漏极电流ID: 23A
漏源电压(Vdss): 40V
供应商器件封装: PG-TDSON-8
无铅情况/RoHs: 否
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