型号: BSC034N10LS5ATMA1
功能描述: TRENCH >=100V
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: OptiMOS™ 5
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 19A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 3.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 115µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 46nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 6500pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），156W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-7
封装/外壳: 8-PowerTDFN
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