型号: BSC037N08NS5T
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.8V @ 72?A 漏源导通电阻：5.3mΩ @ 25A, 6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 100A
栅源极阈值电压: 3.8V @ 72?A
漏源导通电阻: 5.3mΩ @ 25A, 6V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3W
类型: N沟道
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