型号:  BSC046N02KSGAUMA1

功能描述:  BSC046N02KS Series 20 V 19 A Surface Mount OptimosTM Power Transistor - TDSON-8

制造商:  Infineon Technologies

系列：  OptiMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  19A（Ta），80A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1.2V @ 110µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  27.6nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  4100pF @ 10V

Vgs（最大值）：  ±12V

功率耗散（最大值）：  2.8W（Ta），48W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  4.6 毫欧 @ 50A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TDSON-8

封装形式Package：  TDSON

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  19A

漏源电压（Vdss）：  20V

供应商器件封装：  PG-TDSON-8

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs